氮化镓（GaN）基材料及发光二极管（LED）产业化

一、项目背景及企业背景

武汉大学研制的GaN基材料及发光二极管（LED）项目获国家两项专利，具有自主知识产权。（GaN）基材料是由镓、铟、铝和氮形成的化合物以及由它们组成的多元合金材料。GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料和良好的涂层保护材料，非常适合制作从红光到紫外光的发光管或激光器，能够实现从单一基材上发射红、绿、蓝三基色光。以GaN基材料能制作发光二极管（LED）、激光二极管（LD）和光电探测器等光子器件。其中用发光二极管（LED）制成的灯具体积更小、更轻，长度只有2毫米至20毫米，耗电量仅为同亮度白炽灯的10%，发光效率可提高10倍，使用寿命是普通灯泡的100倍。GaN基材料及发光二极管（LED）可作为全色显示屏和指示器、高效节能的交通信灯和可调色照明灯，广泛应用于航空信号灯、广告显示屏、大型场馆照明、家庭照明等众多领域。

二、市场分析

GaN基光电子材料应用广泛，仅显示器市场的销售就达数百亿美元。目前，传统的GRT显示器正受到液晶显示器（LCD）的巨大冲击，而以GaN基材料及发光二极器（LED）制成的平板显示器又必将取代CRT和LCD成为显示器主流产品，市场开发潜力巨大，据国际权威机构（strategies　unlimited）测算，我国GaN基的光子器件，2003年产值极近10亿美元，而2009年将达48亿美元，还不包括将来新开展的应用领域，所以，GaN基的光电子材料和器件产业化开发市场前景十分诱人。

三、项目规模及内容

该项目起点投资8000万元，方可进行全部GaN基材料及LED产业链开发，资金投入的绝大部分可集中在上游发光蕊片产业应用开发上。

四、项目投资及其构成：8000万元。

五、效益预测：建成后，年产值可达5亿元，是一个高科技含量、高附加值、极具市场前景的尖端高科技产业化项目。

六、合作方式：武大以专利技术入股，实行股份合作制。

七、项目进展：正在武大（随州）科技园完成土地征用和“三通一平”工作，即水通、路通、电通和土地平整。

八、联系方式 

招商单位：湖北省随州市商务局

联 系 人：何敬国

通信地址：湖北省随州市政府办公大楼二楼

电    话：13908669188